-
2025-08-13
创飞芯40nm HV工艺OTP IP完成上架, 助力显示驱动技术新突破
珠海创飞芯科技有限公司实现新突破!我司基于40HV(40nm 1.1V/8V/32V high voltage process)工艺制程的一次性可编程存储IP核已在国内两家头部晶圆代工厂经过标准3lot qual 验证并完成上架。这一里程碑标志着创飞芯在HV工艺OTP IP领域的技术实力再次获得认可,为显示驱动芯片及更多应用场景提供了高可靠、大容量的存储解决方案。
查看详情 >
-
2025-08-08
创飞芯·40nm eNT(embedded nitride trap ) eFlash技术 取得重大突破
珠海创飞芯科技有限公司在非易失性存储技术领域再获突破——基于40nm标准工艺平台开发的eNT嵌入式eFlash IP已通过可靠性验证!这一成果进一步展现了创飞芯科技有限公司在先进工艺节点上的技术实力与工程化能力。
查看详情 >
-
2025-06-11
创飞芯130nm EEPROM IP 通过客户产品级考核,具备大规模商用条件
国内领先的一站式存储NVM IP供应商创飞芯在非易失性存储技术领域取得的一项重要成果 —— 基于130nm标准工艺平台开发,为客户定制开发的EEPROM IP,已顺利通过客户全流程的PVT测试与可靠性验证,标志着该产品正式具备大规模商用条件。
查看详情 >
-
2025-05-27
创飞芯 55nm BCD工艺 OTP IP 实现上架
近日,珠海创飞芯科技有限公司宣布,其自主研发的 55BCD(55nm Bipolar-CMOS-DMOS Generic Process) 工艺 OTP IP(一次性可编程存储IP核) 已在一家全球领先的集成电路制造企业成功完成上架。该OTP IP严格通过了非易失性存储考核标准的三个批次可靠性测试验证。这一成果标志着创飞芯在集成电路领域取得了重要突破,进一步提升了其在全球半导体市场的竞争力。
查看详情 >
-应用场景-
-新闻中心-
创飞芯科技公司拥有一支高水平的研发团队,核心成员均来自于世界知名半导体企业,拥有丰富的研发经验。
专业研发团队
与国内先进晶圆制造厂商建立了深度战略合作关系,合作伙伴包括中芯国际、上海华力、上海华虹等龙头企业。
深度战略合作
公司在电路设计、器件优化、工艺集成等方面拥有雄厚的技术研发实力,掌握了多项存储芯片设计核心技术。
先进技术水平
公司研发的NOR/NAND Flash及OTP IP产品,采用领先工艺制程,具有超高可靠性,性能指标强大。
强大产品性能
-产品中心-
打造让客户安“芯”的
世界级存储IP技术服务商
-新闻中心-
珠海创飞芯科技
有限公司
珠海总部
北京分部
硅谷分部
地址:北京海淀区花园北路14号66幢8层816号
地址:TIPark Silicon Valley,1601 McCarthy Blvd,Milpitas,CA95035



















